| 型号：NESG7030M04-A | 类别：RF 晶体管 (BJT) | 制造商：CEL |
| 封装：SOT-343F | 描述：DISCRETE RF DIODE | |
详细参数
| 类别 | RF 晶体管 (BJT) |
|---|---|
| 描述 | DISCRETE RF DIODE |
| 系列 | - |
| 制造商 | CEL |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压_集电极发射极击穿111最大222 | 4.3V |
| 频率_转换 | 5.8GHz |
| 噪声系数111dB典型值0a0频率222 | 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz |
| 增益 | 14dB ~ 21dB |
| 功率_最大 | 125mW |
| 在某IceeeVce时的最小直流电流增益（hFE） | 200 @ 5mA，2V |
| 电流_集电极（Ic）111最大222 | 30mA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 供应商设备封装 | M04 |
| 包装 | 散装 |
供应商
| 深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
NESG7030M04-A相关型号
- PT19512SMRPN
同轴，RF
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6-UFDFN
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6-UFDFN
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28-UFQFN 裸露焊盘
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28-VQFN 裸露焊盘
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4-SMD，扁平引线
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20-VFQFN 裸露焊盘
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- NC7WZ08L8X
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涌入电流限制器 (ICL)
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- N516-10M
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20-SOIC（0.295＂，7.50mm 宽）
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- NC7WZ126K8X
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- NE01-CCPC1-ELXX
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Omron Electronics Inc-IA Div
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